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SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約1000--3000次擦寫壽命

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約1000次擦寫壽命。

     不過現(xiàn)在低端的ssd大部分都是TLC，東芝，三星和閃迪的所謂性價比的ssd大多都是TLC，低端TLC是大勢所趨。中端產(chǎn)品大部分都是mlc，企業(yè)級的高端產(chǎn)品就是用SLC。

不過按正常使用，TLC所謂的1000pe的壽命完全夠用，不用擔(dān)心。

     三者的區(qū)別在于電壓位不同，物理結(jié)構(gòu)是相同的。相同成本下電壓位越多單位存儲密度越大，讀寫壽命越低。

但現(xiàn)在即使企業(yè)級產(chǎn)品（例如Intel P3700/3608/3500) 也很少使用SLC，而以MLC和e-MLC為主。

SSD的耐用性和可靠性是以閃存顆粒和主控芯片構(gòu)成的綜合體，通過完善的設(shè)計提高性能和壽命的同時大幅降低成本。在實際使用中，主控芯片故障的概率大于閃存顆粒。

    可以留意一下各類企業(yè)級產(chǎn)品的詳細(xì)數(shù)據(jù)和專業(yè)評測幾乎不提到當(dāng)初討論的很熱火的P/E循環(huán)，因為單以閃存顆粒本身的壽命來預(yù)測SSD整體壽命并不合理。SSD耐用性和可靠性的指標(biāo)主要有四類：總寫入量（TBW/PBW）、每日寫入量（DPDW）、不可修復(fù)的錯誤比特率（Uber）、平均無故障時間（MTBF）或年度失效率（AFR）。

另外MTBF只是參考，并不準(zhǔn)確。電子設(shè)備實際使用中故障率是理論數(shù)據(jù)的數(shù)倍以上。一塊硬盤能無故障連續(xù)跑幾十上百年怎么可能。 

   其實芯片本身的區(qū)別都可以百度到，原理壽命什么的都有，這里我做一些補充:

   其實現(xiàn)在并沒有所謂原生slc的東西。一般而言，英特爾美光造出來一個閃存芯片，mlc，32g，那么可以讓他在slc模式下工作，就是一片16g slc。同理，三星造了一片多層tlc，那么他可以是tlc，比如你見到的cm871，850EVO。

    可以是mlc，比如950pro?？梢允莝lc，比如各個SSD中用來做slc模擬的那部分。

    另外對于現(xiàn)在多數(shù)的SSD而言，其屌炸天的性能是靠模擬slc而來的，不同的盤，其slc cache大小也不同。這個技術(shù)是把一部分閃存放在slc模式下，此時對這一部分閃存的讀寫可以達(dá)到很高的性能。去掉slc模擬之后，不同的mlc速度不同，約為接近slc盤到slc盤的一半之間，制程越先進起壽命和速度越差。tlc就不說了，性能就再折一次。

掉速問題，是閃存固有的毛病。越差的片和主控掉速越明顯，當(dāng)然垃圾回收策略也是一個問題。就算25nm slc片用老舊的sf2281主控他掉速也是杠杠的。

     壽命上，其實很多三星tlc的1K次覆寫也夠一般人用了，5 6年之后壽命到那之前早就換新了。SSD幾乎不怎么存在壽命問題。主流消費者更應(yīng)考慮數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性問題，比如mlc可能有的家的閃存就用的好些，tlc有的是多層40nm的有的是單層19nm的，此時應(yīng)該選40nm的。

     壽命與穩(wěn)定性問題更多見于U盤這種小容量的東西。例如我有個slc U盤，大文件讀寫200m每秒，很快很穩(wěn)定，也不用擔(dān)心數(shù)據(jù)放幾個月會蒸發(fā)。然而有次用別人的tlc盤拷東西，大小都沒變卻打不開了，計算一下md5一個都對不上。很多低價tlc U盤都存在數(shù)據(jù)穩(wěn)定性不過關(guān)的問題，尤其是體質(zhì)差的黑片tlc盤。